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PoP(Package on a Package) & SiP(System in a Package) 반도체(Semiconductor)일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 18:07
PoP(Package on a Package)PoP(Package on a Package)는 개별 로직과 BGA(Memory Ball Grid Array - Ball의 형태로 집적회로를 연결하는 기법) 2개의 집적회로 패키지들을 수직으로 결합(적층)하는 패키징 방법이다. 이들 간에 신호를 라우팅하기 위한 표준 인터페이스가 있으며, 이를 통해 휴대폰, PDA(Personal Digital Assistant) 및 디지털 카메라와 같은 장치에서 약간 두께에 대한 요구 사항을 희생하는 대신 더 높은 구성 요소 밀도를 얻을 수 있다. 그러나, 2개 이상의 패키지가 있는 스택은 방열 등의 고려 사항 때문에 일반적이지 않다. PCB 조립 중에 PoP 스택의 하단 패키지는 PCB에 직접 배치되고 스택의 다른 패키지는 ..
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질화 알루미늄(AlN, Aluminium Nitride)일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 18:07
질화알루미늄(AlN)은 알루미늄의 고체 질화물이다. 최대 321W/(m·K의 높은 열전도율을 가지는 전기 절연특성을 가지는 물질이며, 실온에서 ~ 6eV의 높은 밴드갭을 가지고 있어 자외선 LED 나 반도체 등에 사용이 검토되고 있다. 주요 물성분자량 : 40.99 g/mol, 색상 : 흰색~옅은 노란색, 밀도 3.26 g/cm3, 전기이동도 약 300 cm2/Vs, 밴드갭 : 6.0 eV 주요 특성AlN은 1862년 F. Briegleb와 A. Geuther에 의해 처음 합성되었다. 순수한 AlN의 전기전도도는 10−13 Ω−1⋅cm−1이며 도핑되면 10−5~10−6 Ω−1⋅cm−1로 상승한다. 절연파괴는 1.2~1.8×105 V/mm로 다른 반도체 물질 대비 높은 편이다. AlN의 결정구조는 wurt..
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인화인듐 Indium Phosphide (InP)일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 18:05
ndium Phosphide (InP) 주요물성 : 분자량 – 145.8 g/mol, 밀도 : 4.81 g/㎤, 녹는점 4.81 g/㎤밴드갭 1.34 eV(300 K), 전자이동도 5400 ㎠/Vs, 열전도율 : 0.68 W/cmK굴절률 : 3.1(적외선) 3.55 632.8 nm, 인화인듐(InP)은 인듐과 인으로 구성된 화합물 반도체의 일종으로, GaAs 및 대부분의 III-V 반도체와 비슷하게 Cubic( "zincblende") 결정 구조를 가지고 있다. 최근 반도체로 물질로 주목받고 있다.인듐을 인의 증기 속에서 가열하면 흑색의 얇은 막이 만들어지는데 반응은 진행되지 않는다. 요오드화인듐과 인 증기의 반응에서도 매우 소량이 만들어 지는데, 산에 닿으면 포스핀이 생긴다. 인듐 인화물은 400 °..
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산화갈륨(III), Gallium Oxide, Ga₂O₃일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 17:59
주요물성분자량 : 187.4 g/mol, 녹는점 : 1725 ℃, 단사정계, 열용량 92.1 J/molK백색 크리스탈 분말, 산화갈륨(III)은 화학식 Ga2O3 인 무기 화합물 및 초광대역 밴드갭 반도체(Ultra Wide Bandgap Semiconductor, UWBG)의 일종이다. 산화갈륨(III)은 전력 전자 장치, 형광체 및 가스 감지 분야 등 여러 분야에 이용되고 연구되고 있다. 산화갈륨은 α, β, γ, δ, ε ĸ상까지 여러 다형체가 있으며 그 중 단사정계(monoclinic) β상이 상온상업에서 가장 안정적이며 많이 이,용된다. β상의 밴드갭이 4.7–4.9eV이고 대면적의 천연 기판은 GaN 및 SiC 기반 전력 전자 반도체 분야와 태양열 블라인드 UV 광검출기에 등에 사용과 연구가..
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Gallium Nitride (질화 갈륨) GaN일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 7. 21. 16:15
주요물성- 분자량 : 83.730 g/mol, 외관 : 노란 분말, 밀도 : 6.1g/㎤, 녹는점 : 1600°C 이상- 밴드갭 : 3.4 eV (300 K), 열전도율 : 1.3 W/(cm·K), 굴절률(nD) : 2.429- 결정 구조 : Wurtzite 질화갈륨(Gallium Nitride)는 1990년대부터 청색 발광 다이오드 등에 일반적으로 사용되는 반도체이며, Wurtzite 결정 구조를 가진 매우 단단한 물질이다. 3.4eV의 넓은 밴드 갭은 광전자, 고전력 및 고주파 장치의 응용 분야의 반도체로 활용가능성을 매우 높게 만든다.또한, GaN은 이온화 방사선에 대한 민감도가 낮기 때문에 위성용 태양 전지 어레이에 적합한 재료이다. GaN 트랜지스터는 갈륨 비소(GaAs) 트랜지스터보다 훨씬 더..
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비행기에 작용하는 4가지힘 (양력, 추력, 항력, 중력) 간단 정리일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 7. 21. 16:15
유체 속에서 움직이는 물체(비행기 등)는 그림과 같이 항력, 중력, 추력, 양력의 4가지 힘을 받는다. 양력유체 속의 물체가 중력의 반대방향으로 수직 방향으로 받는 힘이다. 이 힘은 높은 압력에서 낮은 압력쪽으로 생기며, 물체에 닿은 유체를 밀어내리려는 힘(중력)에 대한 반작용이다. 비행기의 날개에서 양력이 발생하여 하늘로 띄워지게 된다. 항력항력은 물체가 유체 안에서 움직일 때 움직이는 방향의 반대 방향으로 작용하여 물체의 운동을 방해하는 힘이다. 저항력 혹은 끌림힘이라고도 한다. 공기중에 작용할 수 있는 항력은 표면마찰 (skin friction), 형체항력 (form drag), 파동항력 (wave drag)등이 있다. 빠른 속력으로 유체 내부를 이동할 경우 유체에 의해 마찰이 발생할 수 밖에 없으..
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유럽연합 국가들의 이민자 현황역사, 사회, 국제시사 2024. 7. 21. 16:14
현재 유럽연합은 인구대비 많은 이민들이 몰려와서 다양한 문제들이 발생하고 있는대요, 오늘은 유럽연합의 외국 이민자에 대해 알아보았습니다. 유럽연합 전체로 볼 때 이민자의 수- 유럽연합의 이민자들은 모로코, 알제리와 같은 북아프리카, 터키, 러시아, 우크라이나, 보스니아-헤르체고비나와 같은 EU 주변국, 인도, 중국과 같이 원래 인구가 많은 국가들에서 많이 이민왔음을 알 수 있습니다.그림. 국가별 EU 이민자 수(출처 : www.wikipedia.org) 국가별 상황독일독일은 전체인구 8460만명중 약 16 %인 1380만명이 외국인입니다. 1위 터키 148만명, 2위 우크라이나에서 116만명, 3위 시리아에서 92만명, 4위 루마니아 88만명, 5위 폴란드 88만명입니다. 우크라이나와 시리아 난민의 숫자..
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CB Scheme(CB인증) 및 IECEE품질, 생산관리, 경영 2024. 7. 21. 16:13
IECEE(IEC System for Conformity Testing and Certification of Electrical Equipment)은 전기전자 제품의 안전과 전자파에 대한 국제 인증제도로 1985년 9월 IEC와 CEE(유럽 전기기기 안전규격위원회)가 합병되어 만들어졌다. 미국, 일본, 중국, 대한민국 등과 같은 주요 회원국과 인증기관간 다자간 협약으로서 국가 표준과 국제표준간의 조율을 통해 중복시험 없이 해당국가의 인증을 획득할 수 있는 국제적인 상호인정제도이다. CB는 Certification Bodies의 약자이다.즉, 다양한 국가의 안전기준, 적합성 마크 등을 단일한 시험절차로 처리할 수 있게 하는데 50개국이 넘는 국가의 국가인증기관(NCB)와 270개가 넘는 국제 시험소(CBT..