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Metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) 유기금속화학기상증착일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 18:10
Metalorganic vapour-phase epitaxy(MOVPE), Organometallic vapour-phase epitaxy (OMVPE), Metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD)는 모두 같은 말로, 단결정 또는 다결정 박막을 생산하는 데 사용되는 화학 증착 방법이며, 복잡한 반도체 다층 구조를 만들기 위해 결정층을 성장시키는데 매우 유용한 방법이다.Molecular Beam Epitaxy(MBE) 혹은 스퍼터(Sputter)와 같은 PVD와 달리 결정의 성장은 물리적 증착이 아닌 화학 반응에 의해 이루어진다. 또한, 진공이 아니라 적당한 압력 (10-760 Torr)의 기체 상태에서 반응이 이루어 진다. LED와 반도체 박막 제조 등에 광범위..
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주사 음향 현미경(Scanning Acoustic Microscope, SAM)일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 18:09
주사 음향 현미경(SAM)은 집중된 소리(주로 초음파)를 사용하여 물체를 조사, 측정 또는 이미지화하는 장치이며, 고장 분석 및 비파괴 분석, 생물학 및 의학 연구 등에 사용된다. 또한, 반도체, 전자 산업에서 마이크로 전자 패키지 내의 공극, 균열 및 박리를 감지하는 데 많이 사용된다. 최초 개발 및 발전 과정50MHz 초음파 렌즈가 장착된 최초의 주사 음향 현미경(SAM)은 1974년 스탠포드 대학의 마이크로파 연구소에서 RA Lemons와 C. F. Quate에 의해 개발되었다. 1980년에 러시아 과학 아카데미의 생물물리학 입문 검사실에서 R.Gr. Maev와 그의 학생들이 최초의 고해상도(최대 500MHz의 주파수) 투과 전송 SAM을 만들었다. 100MHz에서 최대 1.8GHz까지의 넓은 주파..
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래치업(Latch-Up) / 반도체일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 18:08
래치업(Latch-Up)은 집적 회로(IC) 등에서 순간적인 과전류 등으로 발생할 수 있는 단락 유형이다. MOSFET 회로에서 저임피던스(정확한 용어는 아니지만 저저항이라고 볼 수도 있다.) 경로가 우연히 생성되어 의도하지 않는 부품의 적절한 기능을 방해하는 설계와 다른 전류가 흐르는 부분이 발생하고 여기서 과전류가 발생하여 회로가 파손될 수도 있는 것이다. 이 상황을 해결하려면 전원을 껐다 켜야 한다.이런 구조는 CMOS와 같은 집적 회로에서 많이 나타나는대, 그 이유는 우리가 많이 아는 트랜지스터들이 조밀하게 붙어 있어, 이들이 설계에서 의도한대로 트랜지스터로 동작하는 것이 아니라 4개의 반도체 물질이 붙어 있는 사이리스터 혹은 또 다른 트랜지스터로 동작하기 때문이다. 이러한 Latch-Up은 집적..
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PoP(Package on a Package) & SiP(System in a Package) 반도체(Semiconductor)일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 18:07
PoP(Package on a Package)PoP(Package on a Package)는 개별 로직과 BGA(Memory Ball Grid Array - Ball의 형태로 집적회로를 연결하는 기법) 2개의 집적회로 패키지들을 수직으로 결합(적층)하는 패키징 방법이다. 이들 간에 신호를 라우팅하기 위한 표준 인터페이스가 있으며, 이를 통해 휴대폰, PDA(Personal Digital Assistant) 및 디지털 카메라와 같은 장치에서 약간 두께에 대한 요구 사항을 희생하는 대신 더 높은 구성 요소 밀도를 얻을 수 있다. 그러나, 2개 이상의 패키지가 있는 스택은 방열 등의 고려 사항 때문에 일반적이지 않다. PCB 조립 중에 PoP 스택의 하단 패키지는 PCB에 직접 배치되고 스택의 다른 패키지는 ..
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질화 알루미늄(AlN, Aluminium Nitride)일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 18:07
질화알루미늄(AlN)은 알루미늄의 고체 질화물이다. 최대 321W/(m·K의 높은 열전도율을 가지는 전기 절연특성을 가지는 물질이며, 실온에서 ~ 6eV의 높은 밴드갭을 가지고 있어 자외선 LED 나 반도체 등에 사용이 검토되고 있다. 주요 물성분자량 : 40.99 g/mol, 색상 : 흰색~옅은 노란색, 밀도 3.26 g/cm3, 전기이동도 약 300 cm2/Vs, 밴드갭 : 6.0 eV 주요 특성AlN은 1862년 F. Briegleb와 A. Geuther에 의해 처음 합성되었다. 순수한 AlN의 전기전도도는 10−13 Ω−1⋅cm−1이며 도핑되면 10−5~10−6 Ω−1⋅cm−1로 상승한다. 절연파괴는 1.2~1.8×105 V/mm로 다른 반도체 물질 대비 높은 편이다. AlN의 결정구조는 wurt..
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인화인듐 Indium Phosphide (InP)일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 18:05
ndium Phosphide (InP) 주요물성 : 분자량 – 145.8 g/mol, 밀도 : 4.81 g/㎤, 녹는점 4.81 g/㎤밴드갭 1.34 eV(300 K), 전자이동도 5400 ㎠/Vs, 열전도율 : 0.68 W/cmK굴절률 : 3.1(적외선) 3.55 632.8 nm, 인화인듐(InP)은 인듐과 인으로 구성된 화합물 반도체의 일종으로, GaAs 및 대부분의 III-V 반도체와 비슷하게 Cubic( "zincblende") 결정 구조를 가지고 있다. 최근 반도체로 물질로 주목받고 있다.인듐을 인의 증기 속에서 가열하면 흑색의 얇은 막이 만들어지는데 반응은 진행되지 않는다. 요오드화인듐과 인 증기의 반응에서도 매우 소량이 만들어 지는데, 산에 닿으면 포스핀이 생긴다. 인듐 인화물은 400 °..
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산화갈륨(III), Gallium Oxide, Ga₂O₃일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 9. 8. 17:59
주요물성분자량 : 187.4 g/mol, 녹는점 : 1725 ℃, 단사정계, 열용량 92.1 J/molK백색 크리스탈 분말, 산화갈륨(III)은 화학식 Ga2O3 인 무기 화합물 및 초광대역 밴드갭 반도체(Ultra Wide Bandgap Semiconductor, UWBG)의 일종이다. 산화갈륨(III)은 전력 전자 장치, 형광체 및 가스 감지 분야 등 여러 분야에 이용되고 연구되고 있다. 산화갈륨은 α, β, γ, δ, ε ĸ상까지 여러 다형체가 있으며 그 중 단사정계(monoclinic) β상이 상온상업에서 가장 안정적이며 많이 이,용된다. β상의 밴드갭이 4.7–4.9eV이고 대면적의 천연 기판은 GaN 및 SiC 기반 전력 전자 반도체 분야와 태양열 블라인드 UV 광검출기에 등에 사용과 연구가..
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Gallium Nitride (질화 갈륨) GaN일반기술, 자연과학, 세라믹 2024. 7. 21. 16:15
주요물성- 분자량 : 83.730 g/mol, 외관 : 노란 분말, 밀도 : 6.1g/㎤, 녹는점 : 1600°C 이상- 밴드갭 : 3.4 eV (300 K), 열전도율 : 1.3 W/(cm·K), 굴절률(nD) : 2.429- 결정 구조 : Wurtzite 질화갈륨(Gallium Nitride)는 1990년대부터 청색 발광 다이오드 등에 일반적으로 사용되는 반도체이며, Wurtzite 결정 구조를 가진 매우 단단한 물질이다. 3.4eV의 넓은 밴드 갭은 광전자, 고전력 및 고주파 장치의 응용 분야의 반도체로 활용가능성을 매우 높게 만든다.또한, GaN은 이온화 방사선에 대한 민감도가 낮기 때문에 위성용 태양 전지 어레이에 적합한 재료이다. GaN 트랜지스터는 갈륨 비소(GaAs) 트랜지스터보다 훨씬 더..