웨이퍼 다이싱(wafer dicing), 다이 싱귤레이션(Die singulation)

웨이퍼 다이싱(wafer dicing) 혹은 다이 싱귤레이션(Die singulation)은 반도체 장치 제조에서 완성된 반도체 웨이퍼에서 다이(웨이퍼에서 집적회로가 세겨진 조그만 조각, 보통 사각형)를 분리하는 공정이다. 다이 싱귤레이션은 포토리소그래피 공정 후에 이루어지며, 스크라이빙 ,기계적 톱질(mechanical sawing, 일반적으로 다이싱 톱이라는 기계 사용), 또는 레이저 절단이 포함될 수 있다. 모든 방법은 일반적으로 정밀도와 정확성을 보장하기 위해 자동화되며, 다이싱 공정에 따라 개별 실리콘 칩은 컴퓨터 등과 같은 전자 장치를 구축하는 데 사용하기에 적합한 칩 캐리어로 캡슐화될 수 있다(패키징).

웨이퍼 다이싱 전 깔끔한 절단을 위해 홈을 파기도 하는데 이를 그루빙(grooving)이라고 한다.

다이싱을 위해 웨이퍼는 일반적으로 얇은 판금 프레임에 웨이퍼를 고정하는 다이싱 테이프에 장착된다. 다이싱 테이프는 다이싱 용도에 따라 여러 종류가 있는데, 예를들면, UV 경화 테이프는 더 작은 크기에 사용되며 더 큰 다이 크기에는 비 UV 다이싱 테이프가 사용될 수 있다. 다이싱 톱(saw)은 30,000RPM의 고속으로 회전하고 탈이온수(증류수)로 냉각되는 다이아몬드 입자가 있는 다이싱 블레이드를 사용할 수 있다. 웨이퍼가 다이싱된 후, 다이싱 테이프에 남아 있는 조각을 다이, 다이스 또는 다이라고 하는데, 이들 각각은 각각은 적절한 패키지로 패키징되거나 "베어 다이"로 인쇄 회로 기판 기판에 직접 배치됩니다. 다이 스트리트(die streets)라고 하는 잘려나간 영역은 일반적으로 너비가 약 75 ㎛ 정도 된다. 웨이퍼가 다이싱되면 다이 본더 또는 다이 분류기와 같은 다이 처리 장비에 의해 추출될 때까지 다이싱 테이프에 남아 있으며 전자 조립 공정에서 추가로 진행될 수 있다.

테이프에 남아 있는 다이의 크기는 한 면이 35mm에서 0.1mm인 사각형으로 다양한 크기이며, 경우에 따라 사용된 싱귤레이션 방법에 따라 다른 모양이 될 수도 있다.

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