인화인듐 Indium Phosphide (InP)

ndium Phosphide (InP)

 

주요물성 : 분자량 – 145.8 g/mol, 밀도 : 4.81 g/㎤, 녹는점 4.81 g/㎤

밴드갭 1.34 eV(300 K), 전자이동도 5400 ㎠/Vs, 열전도율 : 0.68 W/cmK

굴절률 : 3.1(적외선) 3.55 632.8 nm,

 

인화인듐(InP)은 인듐과 인으로 구성된 화합물 반도체의 일종으로, GaAs 및 대부분의 III-V 반도체와 비슷하게 Cubic( "zincblende") 결정 구조를 가지고 있다. 최근 반도체로 물질로 주목받고 있다.

인듐을 인의 증기 속에서 가열하면 흑색의 얇은 막이 만들어지는데 반응은 진행되지 않는다. 요오드화인듐과 인 증기의 반응에서도 매우 소량이 만들어 지는데, 산에 닿으면 포스핀이 생긴다. 인듐 인화물은 400 °C에서 백린과 요오드화 인듐의 반응으로 제조 할 수 있으며, 고온 및 고압에서 정제 된 원소를 직접 결합하거나 트리 알킬 인듐 화합물과 포스핀의 혼합물을 열 분해하여 제조 할 수 있다.

 

그림. InP의 분자구조(출처 : www.webelements.com)

응용

InP는 인듐 갈륨 비소와 같은 다른 반도체를 기반으로 하는 증착박막 형태의 광전자 장치(LED 등)의 기판(substrate)으로 많이 사용된다. 광통신시 발광소자로도 많이 쓰이는데 InP의 출력파장이 광섬유에서 손실이 비교적 적기 때문이다. 또한 InP는 고출력 고주파 전자 장치 등에 다양하게 사용된다. 레이저나 민감한 광검출기 변조기 등에도 사용된다. InP는 레이저 광을 생성, 증폭, 제어 및 감지할 수 있는 광자 집적장치에 사용된다. 가스(CO, CO2, NOx)의 실시간 감지를 위한 센서로도 사용된다. 단 InP는 제조 공정에 따라 품질이 민감할 수 있어 제조비용이 비쌀 수 있다. 또한 원료인 인듐 등이 희소금속이기 때문에 이 또한 제조비용을 상승시키는 원인이 될 수 있다.